GAGG:Ce Scintillator, GAGG Crystal, GAGG Scintillation Crystal
ຂໍ້ໄດ້ປຽບ
● ແຮງຢຸດດີ
● ຄວາມສະຫວ່າງສູງ
● ແສງຫລັງຕໍ່າ
●ເວລາການເສື່ອມໂຊມໄວ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ກ້ອງຖ່າຍຮູບແກມມາ
● PET, PEM, SPECT, CT
● ການກວດ X-ray & ray Gamma
● ການກວດກາພາຊະນະບັນຈຸພະລັງງານສູງ
ຄຸນສົມບັດ
| ປະເພດ | GAGG-HL | ຍອດເງິນ GAGG | GAGG-FD |
| ລະບົບ Crystal | ກ້ອນ | ກ້ອນ | ກ້ອນ |
| ຄວາມໜາແໜ້ນ (g/cm3) | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| ຜົນຜະລິດແສງສະຫວ່າງ (photons/kev) | 60 | 50 | 30 |
| ເວລາເສື່ອມໂຊມ | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| ຄວາມຍາວກາງຄື້ນ (nm) | 530 | 530 | 530 |
| ຈຸດລະລາຍ (℃) | 2105℃ | 2105℃ | 2105℃ |
| ຄ່າປະລໍາມະນູ | 54 | 54 | 54 |
| ການແກ້ໄຂພະລັງງານ | ＜5% | ＜6% | ＜7% |
| ຕົນເອງລັງສີ | No | No | No |
| Hygroscopic | No | No | No |
ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) gadolinium ອາລູມິນຽມ gallium garnet doped ກັບ cerium.ມັນເປັນ scintillator ໃຫມ່ສໍາລັບການປ່ອຍແສງສະຫວ່າງ photon tomography ຄອມພິວເຕີ (SPECT), gamma-ray ແລະ Compton electron detection.Cerium doped GAGG:Ce ມີຄຸນສົມບັດຫຼາຍຢ່າງທີ່ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບ gamma spectroscopy ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຖ່າຍຮູບທາງການແພດ.ຜົນຜະລິດ photon ສູງແລະສູງສຸດການປ່ອຍອາຍພິດປະມານ 530 nm ເຮັດໃຫ້ວັດສະດຸທີ່ເຫມາະສົມທີ່ຈະອ່ານອອກໂດຍເຄື່ອງກວດຈັບພາບ Silicon Photo-multiplier.Epic crystal ພັດທະນາ 3 ປະເພດຂອງ GAGG: Ce ໄປເຊຍກັນ, ທີ່ມີເວລາການເສື່ອມໂຊມໄວ (GAGG-FD), ໄປເຊຍກັນປົກກະຕິ (GAGG-Balance), ຜົນຜະລິດແສງສະຫວ່າງທີ່ສູງຂຶ້ນ (GAGG-HL) ໄປເຊຍກັນ, ສໍາລັບລູກຄ້າໃນຂົງເຂດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.GAGG:Ce ເປັນ scintillator ທີ່ມີທ່າແຮງຫຼາຍໃນຂົງເຂດອຸດສາຫະກໍາພະລັງງານສູງ, ໃນເວລາທີ່ມັນມີລັກສະນະໃນການທົດສອບຊີວິດພາຍໃຕ້ 115kv, 3mA ແລະແຫຼ່ງຮັງສີທີ່ຕັ້ງຢູ່ໃນໄລຍະ 150 ມມຈາກໄປເຊຍກັນ, ຫຼັງຈາກ 20 ຊົ່ວໂມງປະສິດທິພາບແມ່ນເກືອບຄືກັນກັບສົດ. ຫນຶ່ງ.ມັນຫມາຍຄວາມວ່າມັນມີຄວາມສົດໃສດ້ານທີ່ດີທີ່ຈະທົນທານຕໍ່ປະລິມານສູງພາຍໃຕ້ການ irradiation X-ray, ແນ່ນອນ, ມັນຂຶ້ນກັບເງື່ອນໄຂການ irradiation ແລະໃນກໍລະນີທີ່ຈະໄປຕື່ມອີກກັບ GAGG ສໍາລັບ NDT ຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ດໍາເນີນການທົດສອບທີ່ແນ່ນອນຕື່ມອີກ.ນອກເຫນືອຈາກ GAGG: Ce crystal ດຽວ, ພວກເຮົາສາມາດຜະລິດເປັນເສັ້ນແລະ 2 ມິຕິລະດັບ, ຂະຫນາດ pixels ລວງແລະຕົວແຍກສາມາດບັນລຸໄດ້ໂດຍອີງໃສ່ຄວາມຕ້ອງການ.ພວກເຮົາຍັງໄດ້ພັດທະນາເຕັກໂນໂລຊີສໍາລັບການ GAGG ceramic: Ce, ມັນມີທີ່ດີກວ່າ coincidence ການແກ້ໄຂທີ່ໃຊ້ເວລາ (CRT), ທີ່ໃຊ້ເວລາການເສຍຫາຍໄວຂຶ້ນແລະຜົນຜະລິດແສງສະຫວ່າງສູງຂຶ້ນ.
ຄວາມລະອຽດພະລັງງານ: GAGG Dia2”x2”, 8.2% Cs137@662 ການ
ປະສິດທິພາບ Afterglow
ປະສິດທິພາບຜົນຜະລິດແສງສະຫວ່າງ
ການແກ້ໄຂກໍານົດເວລາ: Gagg ເວລາການເສຍຫາຍໄວ
(a) ຄວາມລະອຽດເວລາ: CRT=193ps (FWHM, ປ່ອງຢ້ຽມພະລັງງານ: [440keV 550keV])
(a) ຄວາມລະອຽດເວລາ Vs.ແຮງດັນໄຟຟ້າ bias: (ປ່ອງຢ້ຽມພະລັງງານ: [440keV 550keV])
ກະລຸນາຮັບຊາບວ່າການປ່ອຍອາຍພິດສູງສຸດຂອງ GAGG ແມ່ນ 520nm ໃນຂະນະທີ່ເຊັນເຊີ SiPM ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບຜລຶກທີ່ມີການປ່ອຍອາຍພິດສູງສຸດ 420nm.PDE ສໍາລັບ 520nm ແມ່ນຕ່ໍາ 30% ເມື່ອທຽບກັບ PDE ສໍາລັບ 420nm.CRT ຂອງ GAGG ສາມາດໄດ້ຮັບການປັບປຸງຈາກ 193ps (FWHM) ເປັນ 161.5ps (FWHM) ຖ້າ PDE ຂອງເຊັນເຊີ SiPM ສໍາລັບ 520nm ຈະກົງກັບ PDE ສໍາລັບ 420nm.
