GaAs Substrate
ລາຍລະອຽດ
Gallium Arsenide (GaAs) ເປັນສານປະກອບ semiconductor III-Ⅴ ທີ່ສໍາຄັນ ແລະເປັນຜູ້ໃຫຍ່, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນດ້ານ optoelectronics ແລະ microelectronics.GaAs ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນແບ່ງອອກເປັນສອງປະເພດ: GaAs ເຄິ່ງ insulating ແລະ N-type GaAs.GaAs ເຄິ່ງ insulating ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ເພື່ອເຮັດໃຫ້ວົງຈອນປະສົມປະສານກັບໂຄງສ້າງ MESFET, HEMT ແລະ HBT, ເຊິ່ງຖືກນໍາໃຊ້ໃນການສື່ສານ radar, microwave ແລະ millimeter wave, ຄອມພິວເຕີຄວາມໄວສູງແລະການສື່ສານເສັ້ນໄຍ optical.N-type GaAs ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນ LD, LED, ເລເຊີອິນຟາເຣດໃກ້ໆ, ເລເຊີທີ່ມີພະລັງງານສູງ quantum ແລະຈຸລັງແສງຕາເວັນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ.
ຄຸນສົມບັດ
| ໄປເຊຍກັນ | Doped | ປະເພດການນໍາ | ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງກະແສ cm-3 | ຄວາມຫນາແຫນ້ນ cm-2 | ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວ |
| GaAs | ບໍ່ມີ | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
ນິຍາມຊັ້ນຍ່ອຍ GaAs
ຊັ້ນຍ່ອຍ GaAs ຫມາຍເຖິງຊັ້ນຍ່ອຍທີ່ເຮັດຈາກວັດສະດຸຜລຶກຂອງ gallium arsenide (GaAs).GaAs ເປັນ semiconductor ປະສົມປະກອບດ້ວຍ gallium (Ga) ແລະອາເຊນິກ (As) ອົງປະກອບ.
substrates GaAs ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນຂົງເຂດເອເລັກໂຕຣນິກແລະ optoelectronics ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທີ່ດີເລີດຂອງພວກເຂົາ.ບາງຄຸນສົມບັດທີ່ສໍາຄັນຂອງຊັ້ນຍ່ອຍ GaAs ປະກອບມີ:
1. ການເຄື່ອນທີ່ຂອງອິເລັກໂທຣນິກສູງ: GaAs ມີຄວາມເຄື່ອນທີ່ຂອງເອເລັກໂຕຣນິກສູງກວ່າວັດສະດຸ semiconductor ທົ່ວໄປອື່ນໆເຊັ່ນ silicon (Si).ລັກສະນະນີ້ເຮັດໃຫ້ຊັ້ນໃຕ້ດິນ GaAs ເຫມາະສົມກັບອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີພະລັງງານສູງທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງ.
2. ຊ່ອງຫວ່າງແຖບໂດຍກົງ: GaAs ມີຊ່ອງຫວ່າງແຖບໂດຍກົງ, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າການປ່ອຍແສງສະຫວ່າງປະສິດທິພາບສາມາດເກີດຂຶ້ນໄດ້ໃນເວລາທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກແລະຮູ recombine.ລັກສະນະນີ້ເຮັດໃຫ້ຊັ້ນຍ່ອຍ GaAs ເຫມາະສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ optoelectronic ເຊັ່ນ: diodes emitting ແສງສະຫວ່າງ (LEDs) ແລະ lasers.
3. Wide Bandgap: GaAs ມີ bandgap ກວ້າງກວ່າ silicon, ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດເຮັດວຽກຢູ່ໃນອຸນຫະພູມທີ່ສູງຂຶ້ນ.ຄຸນສົມບັດນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ GaAs ເຮັດວຽກໄດ້ມີປະສິດທິພາບຫຼາຍຂຶ້ນໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.
4. ສຽງລົບກວນຕໍ່າ: GaAs substrates ສະແດງໃຫ້ເຫັນລະດັບສຽງຕ່ໍາ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຕ່ໍາແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ລະອຽດອ່ອນອື່ນໆ.
ແຜ່ນຍ່ອຍ GaAs ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກແລະ optoelectronic, ລວມທັງ transistors ຄວາມໄວສູງ, microwave integrated circuits (ICs), ຈຸລັງ photovoltaic, photon detectors, ແລະຈຸລັງແສງຕາເວັນ.
ຊັ້ນຍ່ອຍເຫຼົ່ານີ້ສາມາດຖືກກະກຽມໂດຍໃຊ້ເຕັກນິກຕ່າງໆເຊັ່ນ: Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE) ຫຼື Liquid Phase Epitaxy (LPE).ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວສະເພາະທີ່ໃຊ້ແມ່ນຂຶ້ນກັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການແລະຄວາມຕ້ອງການດ້ານຄຸນນະພາບຂອງຊັ້ນຍ່ອຍ GaAs.
